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发布时间：2017-10-26 11:50:00
来源：证券时报
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e公司讯，最近两天，在昆山举办的“2017中国集成电路产业促进大会高峰论坛”上，5G与化合物半导体发展前景议题备受关注。
业内人士分析认为，随着5G时代到来，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代宽禁带半导体材料将迎来发展机遇。三安光电、国民技术、扬杰科技、海特高新等多家上市公司均已积极布局。英飞凌（Infineon）方面预计，未来GaN将占据75%的基站射频功率器件市场。
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